技术参数

参数

单位

HC-OSW-MOS-1×2

常温指标

全温度范围指标

工作波长

nm

1550

1550

插入损耗(IL)

dB

≤1.0（典型值：0.8）

≤1.3

温度相关损耗(TDL)

dB

≤0.2

0.5

回波损耗(RL)

dB

≥50

40

串扰(CT)

dB

≥40

35

重复性

dB

≤±0.01

≤±0.02

切换速度

μs

≤400

≤400

切换次数

times

≥10 Billion

≥10 Billion

工作电压

V

5

5

承受光功率

mw

≤500

≤500

工作温度

℃

-20~+70

-40--85

储存温度

℃

-40~+85

-40~+85

工作湿度

℃

5~95

5~95

封装尺寸

mm

L37xW10xH7.8

备注:1.指标分为常温指标和全温度范围内指标控制范围

2.所有参数均不包括连接头插入损耗，一对连接头增加0.3dB损耗。